Výrobce: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Typ tranzistoru: N/P-MOSFET
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: -30/30V
Proud drainu: -4.4/5.4A
Impulsní proud kolektoru: -23...34A
Ztrátový výkon: 1.1W
Pouzdro: SO8
Napětí gate-source: +-20V
Odpor v sepnutém stavu: 41m?
Náboj hradla: 33nC
Druh kanálu: obohacený
Vlastností polovodičových součástek: ESD protected gate